casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / PSMN3R7-100BSEJ
codice articolo del costruttore | PSMN3R7-100BSEJ |
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Numero di parte futuro | FT-PSMN3R7-100BSEJ |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
PSMN3R7-100BSEJ Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 120A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.95 mOhm @ 25A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 246nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 16370pF @ 50V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 405W (Ta) |
temperatura di esercizio | 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | D2PAK |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PSMN3R7-100BSEJ Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | PSMN3R7-100BSEJ-FT |
NP88N075KUE-E2-AY
Renesas Electronics America
NP89N03ZUGP-E1
Renesas Electronics America
NP89N03ZUGW-U
Renesas Electronics America
NP89N04MUK-S18-AY
Renesas Electronics America
NP89N04NUK-S18-AY
Renesas Electronics America
NP89N04PUK-E1-AY
Renesas Electronics America
NP89N055NUK-S18-AY
Renesas Electronics America
NP89N055PUK-E1-AY
Renesas Electronics America
NP90N04MUK-S18-AY
Renesas Electronics America
NP90N04NUK-S18-AY
Renesas Electronics America
A3PE600-1FG256I
Microsemi Corporation
A3P1000-2PQ208
Microsemi Corporation
ICE65L04F-LCB132C
Lattice Semiconductor Corporation
ICE40LP640-SWG16TR50
Lattice Semiconductor Corporation
A40MX02-PLG68M
Microsemi Corporation
A42MX16-2TQG176
Microsemi Corporation
LFE3-70E-6FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
AT40K20-2AJC
Microchip Technology
EP3CLS200F780I7
Intel
EPF6016AFC100-3N
Intel