casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SIHG22N60E-E3
codice articolo del costruttore | SIHG22N60E-E3 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-SIHG22N60E-E3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
SIHG22N60E-E3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 21A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 180 mOhm @ 11A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 86nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1920pF @ 100V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 227W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247AC |
Pacchetto / caso | TO-247-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIHG22N60E-E3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SIHG22N60E-E3-FT |
SUD50N03-12P-GE3
Vishay Siliconix
SUD50N03-16P-E3
Vishay Siliconix
SUD50N03-16P-GE3
Vishay Siliconix
SUD50N04-05L-E3
Vishay Siliconix
SUD50N04-16P-E3
Vishay Siliconix
SUD50N04-37P-T4-E3
Vishay Siliconix
SUD50N04-8M8P-4GE3
Vishay Siliconix
SUD50N06-07L-E3
Vishay Siliconix
SUD50N06-07L-GE3
Vishay Siliconix
SUD50N10-18P-E3
Vishay Siliconix
A3PE600-1FG256I
Microsemi Corporation
A3P1000-2PQ208
Microsemi Corporation
ICE65L04F-LCB132C
Lattice Semiconductor Corporation
ICE40LP640-SWG16TR50
Lattice Semiconductor Corporation
A40MX02-PLG68M
Microsemi Corporation
A42MX16-2TQG176
Microsemi Corporation
LFE3-70E-6FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
AT40K20-2AJC
Microchip Technology
EP3CLS200F780I7
Intel
EPF6016AFC100-3N
Intel