casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SUD50N04-37P-T4-E3
codice articolo del costruttore | SUD50N04-37P-T4-E3 |
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Numero di parte futuro | FT-SUD50N04-37P-T4-E3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SUD50N04-37P-T4-E3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 5.4A (Ta), 8A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 37 mOhm @ 5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 640pF @ 20V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 2W (Ta), 10.8W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-252, (D-Pak) |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SUD50N04-37P-T4-E3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SUD50N04-37P-T4-E3-FT |
SI8401DB-T1-E1
Vishay Siliconix
SI8401DB-T1-E3
Vishay Siliconix
SI8402DB-T1-E1
Vishay Siliconix
SI8404DB-T1-E1
Vishay Siliconix
SI8405DB-T1-E1
Vishay Siliconix
SI8405DB-T1-E3
Vishay Siliconix
SI8415DB-T1-E1
Vishay Siliconix
SI8424DB-T1-E1
Vishay Siliconix
SI8435DB-T1-E1
Vishay Siliconix
SI8473EDB-T1-E1
Vishay Siliconix
XA6SLX45-3FGG484Q
Xilinx Inc.
A42MX36-2BGG272I
Microsemi Corporation
M2GL090-FGG484
Microsemi Corporation
MPF300T-1FCG1152E
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-4FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL200F1517C2N
Intel
5SGXMA3K2F35I3N
Intel
XC5VSX50T-1FFG665C
Xilinx Inc.
LFE3-95E-7FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
MPM7128SQC100AC
Intel