casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SUD50N06-07L-GE3
codice articolo del costruttore | SUD50N06-07L-GE3 |
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Numero di parte futuro | FT-SUD50N06-07L-GE3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SUD50N06-07L-GE3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 96A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.4 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 144nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 5800pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 136W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-252, (D-Pak) |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SUD50N06-07L-GE3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SUD50N06-07L-GE3-FT |
SI8404DB-T1-E1
Vishay Siliconix
SI8405DB-T1-E1
Vishay Siliconix
SI8405DB-T1-E3
Vishay Siliconix
SI8415DB-T1-E1
Vishay Siliconix
SI8424DB-T1-E1
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SI8435DB-T1-E1
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SI8473EDB-T1-E1
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SI8475EDB-T1-E1
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SUD09P10-195-GE3
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SUD19P06-60-GE3
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A3PE600-1FG256I
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AT40K20-2AJC
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