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Vishay Siliconix SUD50N04-8M8P-4GE3

Name: SUD50N04-8M8P-4GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SUD50N04-8M8P-4GE3
Price: 0.383368 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (604 reviews)

Numero parte MFG: SUD50N04-8M8P-4GE3

quantità disponibile: 32760 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0.383368

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fabbricante: Vishay Siliconix

Breve descrizione: TrenchFET® MOSFET N-CH 40V 14A TO-252

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: SUD50N04-8M8P-4GE3.pdf

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SUD50N04-8M8P-4GE3 specificazioni

codice articolo del costruttore	SUD50N04-8M8P-4GE3
Numero di parte futuro	FT-SUD50N04-8M8P-4GE3
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	TrenchFET®
SUD50N04-8M8P-4GE3 Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	40V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	14A (Ta), 50A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8.8 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	56nC @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	2400pF @ 20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	3.1W (Ta), 48.1W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-252, (D-Pak)
Pacchetto / caso	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SUD50N04-8M8P-4GE3 Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	SUD50N04-8M8P-4GE3-FT

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