casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SIHA100N60E-GE3
codice articolo del costruttore | SIHA100N60E-GE3 |
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Numero di parte futuro | FT-SIHA100N60E-GE3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | E |
SIHA100N60E-GE3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 30A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100 mOhm @ 13A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 50nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1851pF @ 100V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 35W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220 Full Pack |
Pacchetto / caso | TO-220-3 Full Pack |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIHA100N60E-GE3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SIHA100N60E-GE3-FT |
SI5456DU-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI5486DU-T1-E3
Vishay Siliconix
SI5486DU-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIHF30N60E-GE3
Vishay Siliconix
SIHF12N50C-E3
Vishay Siliconix
SIHA15N65E-GE3
Vishay Siliconix
SIHA6N65E-E3
Vishay Siliconix
SIHA180N60E-GE3
Vishay Siliconix
SIHF12N60E-GE3
Vishay Siliconix
SIHF22N60E-GE3
Vishay Siliconix
LCMXO1200E-5T144C
Lattice Semiconductor Corporation
A1020B-2PQ100C
Microsemi Corporation
XC6SLX9-2FT256I
Xilinx Inc.
A3PN125-1VQ100
Microsemi Corporation
EP2A15F672C7AA
Intel
EP3CLS70U484I7
Intel
5SGSED6K2F40C3N
Intel
EP4CE10E22C9L
Intel
LFE3-70E-8FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K600EBC652-1X
Intel