casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SIHF12N50C-E3
codice articolo del costruttore | SIHF12N50C-E3 |
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Numero di parte futuro | FT-SIHF12N50C-E3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
SIHF12N50C-E3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 12A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 555 mOhm @ 4A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 48nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1375pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 36W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220 Full Pack |
Pacchetto / caso | TO-220-3 Full Pack |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIHF12N50C-E3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SIHF12N50C-E3-FT |
SI3465DV-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI3467DV-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI3127DV-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI3407DV-T1-E3
Vishay Siliconix
SI3410DV-T1-E3
Vishay Siliconix
SI3424BDV-T1-E3
Vishay Siliconix
SI3424DV-T1-E3
Vishay Siliconix
SI3424DV-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI3429EDV-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI3430DV-T1-E3
Vishay Siliconix
A54SX32-TQG144I
Microsemi Corporation
XC4013XL-09PQ208C
Xilinx Inc.
M7A3P1000-1FGG256I
Microsemi Corporation
LFE5UM5G-45F-8BG554I
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN030-Z1VQ100I
Microsemi Corporation
EP3SE260H780I4LN
Intel
AGLP060V5-CS289
Microsemi Corporation
A54SX32A-2TQG100I
Microsemi Corporation
10AX090N4F40E3SG
Intel
10AX115N3F40I3SGES
Intel