casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SI5486DU-T1-E3
codice articolo del costruttore | SI5486DU-T1-E3 |
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Numero di parte futuro | FT-SI5486DU-T1-E3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SI5486DU-T1-E3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 12A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 1.8V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 15 mOhm @ 7.7A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 54nC @ 8V |
Vgs (massimo) | ±8V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2100pF @ 10V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 3.1W (Ta), 31W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-PowerPak® ChipFet (3x1.9) |
Pacchetto / caso | 8-PowerVDFN |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI5486DU-T1-E3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SI5486DU-T1-E3-FT |
SI3465DV-T1-E3
Vishay Siliconix
SI3467DV-T1-E3
Vishay Siliconix
SI3851DV-T1-E3
Vishay Siliconix
SI3465DV-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI3467DV-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI3127DV-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI3407DV-T1-E3
Vishay Siliconix
SI3410DV-T1-E3
Vishay Siliconix
SI3424BDV-T1-E3
Vishay Siliconix
SI3424DV-T1-E3
Vishay Siliconix
XA6SLX45-3FGG484Q
Xilinx Inc.
A42MX36-2BGG272I
Microsemi Corporation
M2GL090-FGG484
Microsemi Corporation
MPF300T-1FCG1152E
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-4FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL200F1517C2N
Intel
5SGXMA3K2F35I3N
Intel
XC5VSX50T-1FFG665C
Xilinx Inc.
LFE3-95E-7FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
MPM7128SQC100AC
Intel