casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SIHF22N60E-GE3
codice articolo del costruttore | SIHF22N60E-GE3 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-SIHF22N60E-GE3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | E |
SIHF22N60E-GE3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 21A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 180 mOhm @ 11A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 86nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1920pF @ 100V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 35W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220 Full Pack |
Pacchetto / caso | TO-220-3 Full Pack |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIHF22N60E-GE3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SIHF22N60E-GE3-FT |
SI3424BDV-T1-E3
Vishay Siliconix
SI3424DV-T1-E3
Vishay Siliconix
SI3424DV-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI3429EDV-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI3430DV-T1-E3
Vishay Siliconix
SI3430DV-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI3433BDV-T1-E3
Vishay Siliconix
SI3433BDV-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI3433CDV-T1-E3
Vishay Siliconix
SI3434DV-T1-E3
Vishay Siliconix
XC6SLX100T-N3FG900C
Xilinx Inc.
M2GL050TS-1FGG484I
Microsemi Corporation
EP2A40F672C7
Intel
EP3SL200F1517C4
Intel
XC7A200T-2FB484I
Xilinx Inc.
XC6VCX195T-1FFG1156I
Xilinx Inc.
LFEC33E-3FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K10LC84-4
Intel
EPF81188ARC240-2
Intel
EP1C12Q240C7
Intel