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Vishay Siliconix SIE836DF-T1-GE3

Numero parte MFG
SIE836DF-T1-GE3
quantità disponibile
11540 pezzi
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fabbricante
Vishay Siliconix
Breve descrizione
TrenchFET® MOSFET N-CH 200V 18.3A POLARPAK
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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codice articolo del costruttore SIE836DF-T1-GE3
Numero di parte futuro FT-SIE836DF-T1-GE3
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie TrenchFET®
SIE836DF-T1-GE3 Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 200V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 18.3A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 130 mOhm @ 4.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 41nC @ 10V
Vgs (massimo) ±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1200pF @ 100V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 5.2W (Ta), 104W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore 10-PolarPAK® (SH)
Pacchetto / caso 10-PolarPAK® (SH)
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SIE836DF-T1-GE3 Peso Contattaci
Numero parte di ricambio SIE836DF-T1-GE3-FT

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