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Vishay Siliconix SIA813DJ-T1-GE3

Numero parte MFG
SIA813DJ-T1-GE3
quantità disponibile
13490 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 0.28476
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fabbricante
Vishay Siliconix
Breve descrizione
LITTLE FOOT® MOSFET P-CH 20V 4.5A SC70-6
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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codice articolo del costruttore SIA813DJ-T1-GE3
Numero di parte futuro FT-SIA813DJ-T1-GE3
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie LITTLE FOOT®
SIA813DJ-T1-GE3 Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Active
Tipo FET P-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 4.5A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 94 mOhm @ 2.8A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13nC @ 8V
Vgs (massimo) ±8V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 355pF @ 10V
Caratteristica FET Schottky Diode (Isolated)
Dissipazione di potenza (max) 1.9W (Ta), 6.5W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore PowerPAK® SC-70-6 Dual
Pacchetto / caso PowerPAK® SC-70-6 Dual
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SIA813DJ-T1-GE3 Peso Contattaci
Numero parte di ricambio SIA813DJ-T1-GE3-FT

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