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Vishay Siliconix SQV120N10-3M8_GE3

Name: SQV120N10-3M8_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQV120N10-3M8_GE3
Price: 1.65552 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (477 reviews)

Numero parte MFG: SQV120N10-3M8_GE3

quantità disponibile: 68710 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 1.65552

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Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: Vishay Siliconix

Breve descrizione: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® MOSFET N-CH 100V 120A TO262-3

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: SQV120N10-3M8_GE3.pdf

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SQV120N10-3M8_GE3 specificazioni

codice articolo del costruttore	SQV120N10-3M8_GE3
Numero di parte futuro	FT-SQV120N10-3M8_GE3
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
SQV120N10-3M8_GE3 Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	120A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.8 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	190nC @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	7230pF @ 25V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	250W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-262-3
Pacchetto / caso	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SQV120N10-3M8_GE3 Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	SQV120N10-3M8_GE3-FT

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