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Honeywell Aerospace HTNFET-D

Name: HTNFET-D
Brand: Honeywell Aerospace
SKU: HTNFET-D
Price: 324.8 USD
Availability: InStock
Rating: 5.0 (67 reviews)

Numero parte MFG: HTNFET-D

quantità disponibile: 27850 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 324.8

Il nostro prezzo: Abbiamo un grande sconto, non esitate a contattarci

Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: Honeywell Aerospace

Breve descrizione: HTMOS™ MOSFET N-CH 55V 8-DIP

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: HTNFET-D.pdf

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HTNFET-D specificazioni

codice articolo del costruttore	HTNFET-D
Numero di parte futuro	FT-HTNFET-D
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	HTMOS™
HTNFET-D Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	55V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	-
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	400 mOhm @ 100mA, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.4V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	4.3nC @ 5V
Vgs (massimo)	10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	290pF @ 28V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	50W (Tj)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 225°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	8-CDIP-EP
Pacchetto / caso	8-CDIP Exposed Pad
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
HTNFET-D Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	HTNFET-D-FT

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