casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SIE832DF-T1-GE3
codice articolo del costruttore | SIE832DF-T1-GE3 |
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Numero di parte futuro | FT-SIE832DF-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SIE832DF-T1-GE3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 50A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.5 mOhm @ 14A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 77nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3800pF @ 20V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 5.2W (Ta), 104W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 10-PolarPAK® (S) |
Pacchetto / caso | 10-PolarPAK® (S) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIE832DF-T1-GE3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SIE832DF-T1-GE3-FT |
IRF7603TR
Infineon Technologies
HTNFET-D
Honeywell Aerospace
BUK9GTHP-55PJTR,51
Nexperia USA Inc.
SQV120N06-4M7L_GE3
Vishay Siliconix
SQV120N10-3M8_GE3
Vishay Siliconix
ZXMP2120FFTA
Diodes Incorporated
ZXMN0545FFTA
Diodes Incorporated
SIA817EDJ-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIA813DJ-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIA810DJ-T1-GE3
Vishay Siliconix
XC3S200A-4FT256I
Xilinx Inc.
XC3S2000-4FG456C
Xilinx Inc.
A42MX09-VQ100I
Microsemi Corporation
AGL030V5-VQ100I
Microsemi Corporation
EP2C50F672I8
Intel
XC6SLX4-2CSG225I
Xilinx Inc.
AGL600V2-CSG281
Microsemi Corporation
LFXP6C-3Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-40E-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL50F780C4
Intel