casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SIA472EDJ-T1-GE3

| codice articolo del costruttore | SIA472EDJ-T1-GE3 |
|---|---|
| Numero di parte futuro | FT-SIA472EDJ-T1-GE3 |
| SPQ / MOQ | Contattaci |
| Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
| serie | TrenchFET® |
| SIA472EDJ-T1-GE3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 12A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 2.5V, 4.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20 mOhm @ 10.8A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 36nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±12V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1265pF @ 15V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 19.2W (Tc) |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PowerPAK® SC-70-6 Single |
| Pacchetto / caso | PowerPAK® SC-70-6 |
| Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| SIA472EDJ-T1-GE3 Peso | Contattaci |
| Numero parte di ricambio | SIA472EDJ-T1-GE3-FT |

PMV130ENEA/DG/B2R
Nexperia USA Inc.

PMV160UPVL
Nexperia USA Inc.

PMV30UN2VL
Nexperia USA Inc.

PMV45EN2VL
Nexperia USA Inc.

PMV48XPVL
Nexperia USA Inc.

PMV50UPEVL
Nexperia USA Inc.

PMV65XPVL
Nexperia USA Inc.

PMZ420UNYL
Nexperia USA Inc.

PSMN012-100YLX
Nexperia USA Inc.

PSMN018-100ESFQ
Nexperia USA Inc.

XC3S50-4TQG144I
Xilinx Inc.

XC3S5000-4FGG676I
Xilinx Inc.

XC6SLX25-L1FG484I
Xilinx Inc.

A54SX16A-1FG256
Microsemi Corporation

MPF300T-1FCG1152E
Microsemi Corporation

AT6005LV-4AC
Microchip Technology

EP3SL200H780I4L
Intel

LFEC6E-3Q208I
Lattice Semiconductor Corporation

LFXP2-17E-6F484C
Lattice Semiconductor Corporation

10AX066K2F40E2LG
Intel