casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / PMV45EN2VL
codice articolo del costruttore | PMV45EN2VL |
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Numero di parte futuro | FT-PMV45EN2VL |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchMOS™ |
PMV45EN2VL Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 5.1A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 42 mOhm @ 4.1A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.3nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 209pF @ 15V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 510mW (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-236AB |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PMV45EN2VL Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | PMV45EN2VL-FT |
NP75P04YLG-E1-AY
Renesas Electronics America
NP80N04KHE-E1-AZ
Renesas Electronics America
NP80N055KLE-E2-AY
Renesas Electronics America
NP80N055NDG-S18-AY
Renesas Electronics America
NP82N04NUG-S18-AY
Renesas Electronics America
NP82N04PUG(1)-E1B-AY
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NP82N10PUF-E1-AY
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NP84N075KUE-E2-AY
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NP88N04KUG-E1-AY
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NP88N04NUG-S18-AY
Renesas Electronics America
XC3164A-3TQ144C
Xilinx Inc.
XC7S100-2FGGA484I
Xilinx Inc.
M1A3P400-1FGG484
Microsemi Corporation
A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
5SGXMB6R2F40I2LN
Intel
EP4SGX360NF45C3N
Intel
XC7S50-2CSGA324C
Xilinx Inc.
5CGXFC9A6U19A7N
Intel
EP2AGX65CU17C4G
Intel
5AGXFB1H4F35C4N
Intel