casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / PMV48XPVL
codice articolo del costruttore | PMV48XPVL |
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Numero di parte futuro | FT-PMV48XPVL |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
PMV48XPVL Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 3.5A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 2.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 55 mOhm @ 2.4A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.25V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | ±12V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1000pF @ 10V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 510mW (Ta) |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-236AB |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PMV48XPVL Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | PMV48XPVL-FT |
NP80N04KHE-E1-AZ
Renesas Electronics America
NP80N055KLE-E2-AY
Renesas Electronics America
NP80N055NDG-S18-AY
Renesas Electronics America
NP82N04NUG-S18-AY
Renesas Electronics America
NP82N04PUG(1)-E1B-AY
Renesas Electronics America
NP82N10PUF-E1-AY
Renesas Electronics America
NP84N075KUE-E2-AY
Renesas Electronics America
NP88N04KUG-E1-AY
Renesas Electronics America
NP88N04NUG-S18-AY
Renesas Electronics America
NP88N055KUG-E2-AY
Renesas Electronics America
LCMXO2-1200ZE-2TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1400AN-4FGG484C
Xilinx Inc.
10M08DCF484C8G
Intel
5SGXMB5R3F43C3N
Intel
5SGXMA7H3F35I3
Intel
LCMXO2280E-3B256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000ZE-1FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGTFC7H3F35I3G
Intel
EP1C4F400C8
Intel
EP20K200EBC356-1
Intel