casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / PMV50UPEVL
codice articolo del costruttore | PMV50UPEVL |
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Numero di parte futuro | FT-PMV50UPEVL |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
PMV50UPEVL Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 3.7A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 1.8V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 66 mOhm @ 3.2A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 900mV @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15.7nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 24pF @ 10V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 500mW (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-236AB |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PMV50UPEVL Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | PMV50UPEVL-FT |
NP80N055KLE-E2-AY
Renesas Electronics America
NP80N055NDG-S18-AY
Renesas Electronics America
NP82N04NUG-S18-AY
Renesas Electronics America
NP82N04PUG(1)-E1B-AY
Renesas Electronics America
NP82N10PUF-E1-AY
Renesas Electronics America
NP84N075KUE-E2-AY
Renesas Electronics America
NP88N04KUG-E1-AY
Renesas Electronics America
NP88N04NUG-S18-AY
Renesas Electronics America
NP88N055KUG-E2-AY
Renesas Electronics America
NP88N075KUE-E1-AZ
Renesas Electronics America
M2GL050-1FG484
Microsemi Corporation
ICE5LP4K-CM36ITR50
Lattice Semiconductor Corporation
AGL250V5-VQG100I
Microsemi Corporation
5SGXMA4H3F35I3LN
Intel
XC5VLX50-2FF324I
Xilinx Inc.
XC7VX690T-2FFG1157I
Xilinx Inc.
XC2VP2-6FF672C
Xilinx Inc.
LFE3-95EA-9FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL110F780I4LN
Intel
EP1C20F324C8N
Intel