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codice articolo del costruttore | SIA465EDJ-T1-GE3 |
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Numero di parte futuro | FT-SIA465EDJ-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SIA465EDJ-T1-GE3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 12A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 2.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16.5 mOhm @ 7A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 72nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±12V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2130pF @ 10V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 19W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PowerPAK® SC-70-6 Single |
Pacchetto / caso | PowerPAK® SC-70-6 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIA465EDJ-T1-GE3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SIA465EDJ-T1-GE3-FT |
PMT200EPEX
Nexperia USA Inc.
PMV130ENEA/DG/B2R
Nexperia USA Inc.
PMV160UPVL
Nexperia USA Inc.
PMV30UN2VL
Nexperia USA Inc.
PMV45EN2VL
Nexperia USA Inc.
PMV48XPVL
Nexperia USA Inc.
PMV50UPEVL
Nexperia USA Inc.
PMV65XPVL
Nexperia USA Inc.
PMZ420UNYL
Nexperia USA Inc.
PSMN012-100YLX
Nexperia USA Inc.
XCS20XL-4VQ100C
Xilinx Inc.
XC6SLX150-3FG484I
Xilinx Inc.
A42MX36-1PQG240
Microsemi Corporation
A3P1000-2FGG484I
Microsemi Corporation
XC4020E-4HQ208I
Xilinx Inc.
XC7VX690T-1FFG1930C
Xilinx Inc.
A42MX09-TQ176
Microsemi Corporation
M1A3P1000L-FGG144
Microsemi Corporation
ICE40UL1K-CM36AITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX230HF35C2
Intel