casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SIA465EDJ-T1-GE3
codice articolo del costruttore | SIA465EDJ-T1-GE3 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-SIA465EDJ-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SIA465EDJ-T1-GE3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 12A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 2.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16.5 mOhm @ 7A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 72nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±12V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2130pF @ 10V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 19W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PowerPAK® SC-70-6 Single |
Pacchetto / caso | PowerPAK® SC-70-6 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIA465EDJ-T1-GE3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SIA465EDJ-T1-GE3-FT |
PMT200EPEX
Nexperia USA Inc.
PMV130ENEA/DG/B2R
Nexperia USA Inc.
PMV160UPVL
Nexperia USA Inc.
PMV30UN2VL
Nexperia USA Inc.
PMV45EN2VL
Nexperia USA Inc.
PMV48XPVL
Nexperia USA Inc.
PMV50UPEVL
Nexperia USA Inc.
PMV65XPVL
Nexperia USA Inc.
PMZ420UNYL
Nexperia USA Inc.
PSMN012-100YLX
Nexperia USA Inc.
XC7A100T-2FTG256I
Xilinx Inc.
APA450-FGG484A
Microsemi Corporation
10AX032E4F27I3SG
Intel
XC6VHX380T-2FFG1154C
Xilinx Inc.
XC7K325T-L2FBG900I
Xilinx Inc.
LFXP3C-5Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-5E-6MN132I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066N4F40I3LG
Intel
EP1AGX35DF780C6
Intel
EP1S40F1020C5N
Intel