casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / SI5943DU-T1-E3
codice articolo del costruttore | SI5943DU-T1-E3 |
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Numero di parte futuro | FT-SI5943DU-T1-E3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SI5943DU-T1-E3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | 2 P-Channel (Dual) |
Caratteristica FET | Logic Level Gate |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 12V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 6A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 64 mOhm @ 3.6A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 8V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 460pF @ 6V |
Potenza - Max | 8.3W |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | PowerPAK® ChipFET™ Dual |
Pacchetto dispositivo fornitore | PowerPAK® ChipFet Dual |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI5943DU-T1-E3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SI5943DU-T1-E3-FT |
SI4310BDY-T1-E3
Vishay Siliconix
SI4340CDY-T1-E3
Vishay Siliconix
SI4340DY-T1-E3
Vishay Siliconix
SIA519EDJ-T1-GE3
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Vishay Siliconix
SIA527DJ-T1-GE3
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SIA517DJ-T1-GE3
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SIA910EDJ-T1-GE3
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SIA922EDJ-T1-GE3
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Vishay Siliconix
A54SX72A-PQG208M
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AGLN250V5-ZVQG100I
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5SGXMA3E2H29I2N
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5SGXMB9R2H43C2N
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AX500-FGG676
Microsemi Corporation
LFE2-12E-5F484C
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