casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / SIA519EDJ-T1-GE3
codice articolo del costruttore | SIA519EDJ-T1-GE3 |
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Numero di parte futuro | FT-SIA519EDJ-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SIA519EDJ-T1-GE3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N and P-Channel |
Caratteristica FET | Logic Level Gate |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 4.5A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 40 mOhm @ 4.2A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12nC @ 10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 350pF @ 10V |
Potenza - Max | 7.8W |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
Pacchetto dispositivo fornitore | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIA519EDJ-T1-GE3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SIA519EDJ-T1-GE3-FT |
SP8J1FU6TB
Rohm Semiconductor
SP8J1TB
Rohm Semiconductor
SP8J2FU6TB
Rohm Semiconductor
SP8J2TB
Rohm Semiconductor
SP8J3FU6TB
Rohm Semiconductor
SP8J4TB
Rohm Semiconductor
SP8J5FU6TB
Rohm Semiconductor
SP8J5TB
Rohm Semiconductor
SP8J65TB1
Rohm Semiconductor
SP8J66TB1
Rohm Semiconductor
LFEC1E-5TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7K70T-2FBG676C
Xilinx Inc.
A3PE600-1PQ208I
Microsemi Corporation
LCMXO640E-4FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
AT40K05AL-1AQC
Microchip Technology
5SGSMD5H3F35I4
Intel
XC6SLX16-N3CSG324C
Xilinx Inc.
A3P1000-1FGG144
Microsemi Corporation
5CGTFD7C5U19C7N
Intel
EP2AGX260EF29C5
Intel