casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / SIA922EDJ-T1-GE3
codice articolo del costruttore | SIA922EDJ-T1-GE3 |
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Numero di parte futuro | FT-SIA922EDJ-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SIA922EDJ-T1-GE3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Caratteristica FET | Logic Level Gate |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 4.5A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 64 mOhm @ 3A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12nC @ 10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Potenza - Max | 7.8W |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
Pacchetto dispositivo fornitore | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIA922EDJ-T1-GE3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SIA922EDJ-T1-GE3-FT |
SP8J4TB
Rohm Semiconductor
SP8J5FU6TB
Rohm Semiconductor
SP8J5TB
Rohm Semiconductor
SP8J65TB1
Rohm Semiconductor
SP8J66TB1
Rohm Semiconductor
SP8K1FU6TB
Rohm Semiconductor
SP8K1TB
Rohm Semiconductor
SP8K22FU6TB
Rohm Semiconductor
SP8K24FU6TB
Rohm Semiconductor
SP8K2FU6TB
Rohm Semiconductor
XC4010XL-3TQ144C
Xilinx Inc.
XCV600E-8FG676C
Xilinx Inc.
AGL400V2-FG256T
Microsemi Corporation
LFE5UM-85F-6BG554I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C15AF484I8N
Intel
EP2AGX125DF25C4
Intel
10AX032H4F34E3LG
Intel
EP4S100G4F45I3
Intel
XC5VLX85-2FF1153C
Xilinx Inc.
LFE2-20SE-5F256I
Lattice Semiconductor Corporation