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Vishay Siliconix SIB912DK-T1-GE3

Name: SIB912DK-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIB912DK-T1-GE3
Price: 0.15884 USD
Availability: InStock
Rating: 5.0 (606 reviews)

Numero parte MFG: SIB912DK-T1-GE3

quantità disponibile: 21750 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0.15884

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Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: Vishay Siliconix

Breve descrizione: TrenchFET® MOSFET 2N-CH 20V 1.5A SC-75-6

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFET - Array

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: SIB912DK-T1-GE3.pdf

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SIB912DK-T1-GE3 specificazioni

codice articolo del costruttore	SIB912DK-T1-GE3
Numero di parte futuro	FT-SIB912DK-T1-GE3
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	TrenchFET®
SIB912DK-T1-GE3 Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET	Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	1.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	216 mOhm @ 1.8A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	3nC @ 8V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	95pF @ 10V
Potenza - Max	3.1W
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	PowerPAK® SC-75-6L Dual
Pacchetto dispositivo fornitore	PowerPAK® SC-75-6L Dual
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SIB912DK-T1-GE3 Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	SIB912DK-T1-GE3-FT

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