casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / SI5908DC-T1-E3
codice articolo del costruttore | SI5908DC-T1-E3 |
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Numero di parte futuro | FT-SI5908DC-T1-E3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SI5908DC-T1-E3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Caratteristica FET | Logic Level Gate |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 4.4A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 40 mOhm @ 4.4A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.5nC @ 4.5V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Potenza - Max | 1.1W |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-SMD, Flat Lead |
Pacchetto dispositivo fornitore | 1206-8 ChipFET™ |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI5908DC-T1-E3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SI5908DC-T1-E3-FT |
SIA950DJ-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIA975DJ-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIB900EDK-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIB914DK-T1-GE3
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SI7234DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
XCKU035-2FBVA676E
Xilinx Inc.
XC6SLX75-L1FGG484C
Xilinx Inc.
A54SX32A-FG256A
Microsemi Corporation
ICE40LM2K-SWG25TR
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX75CF23I7
Intel
EP2C50F484C8
Intel
EP1C12F256C7N
Intel
5SGXEA5N2F45I3N
Intel
XCKU5P-2SFVB784E
Xilinx Inc.
LFE2-12E-5FN484C
Lattice Semiconductor Corporation