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Vishay Siliconix SIB900EDK-T1-GE3

Numero parte MFG
SIB900EDK-T1-GE3
quantità disponibile
95710 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 0.180504
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fabbricante
Vishay Siliconix
Breve descrizione
TrenchFET® MOSFET 2N-CH 20V 1.5A SC-75-6
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFET - Array
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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Numero di parte futuro FT-SIB900EDK-T1-GE3
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie TrenchFET®
SIB900EDK-T1-GE3 Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Active
Tipo FET 2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 1.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 225 mOhm @ 1.6A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.7nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds -
Potenza - Max 3.1W
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso PowerPAK® SC-75-6L Dual
Pacchetto dispositivo fornitore PowerPAK® SC-75-6L Dual
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SIB900EDK-T1-GE3 Peso Contattaci
Numero parte di ricambio SIB900EDK-T1-GE3-FT

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