casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / SIB914DK-T1-GE3
codice articolo del costruttore | SIB914DK-T1-GE3 |
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Numero di parte futuro | FT-SIB914DK-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SIB914DK-T1-GE3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Caratteristica FET | Standard |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 8V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 1.5A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 113 mOhm @ 2.5A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 800mV @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.6nC @ 5V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 125pF @ 4V |
Potenza - Max | 3.1W |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | PowerPAK® SC-75-6L Dual |
Pacchetto dispositivo fornitore | PowerPAK® SC-75-6L Dual |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIB914DK-T1-GE3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SIB914DK-T1-GE3-FT |
SQ4284EY-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQ4917EY-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQ4920EY-T1_GE3
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SQ4940AEY-T1_GE3
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SQ9945BEY-T1_GE3
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TMC1340-SO
Trinamic Motion Control GmbH
XC2V1000-5FG256C
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XC2S150-6PQG208C
Xilinx Inc.
XC3S1400A-4FGG484I
Xilinx Inc.
AGLN030V5-ZCSG81
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A54SX16A-FGG256I
Microsemi Corporation
5SGXMA7N2F45C3
Intel
XC7K355T-2FF901I
Xilinx Inc.
LFE3-150EA-7FN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-70EA-7FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-640ZE-2MG132C
Lattice Semiconductor Corporation