casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / SIA950DJ-T1-GE3
codice articolo del costruttore | SIA950DJ-T1-GE3 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-SIA950DJ-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | LITTLE FOOT® |
SIA950DJ-T1-GE3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Caratteristica FET | Logic Level Gate |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 190V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 950mA |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.8 Ohm @ 360mA, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4.5nC @ 10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 90pF @ 100V |
Potenza - Max | 7W |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
Pacchetto dispositivo fornitore | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIA950DJ-T1-GE3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SIA950DJ-T1-GE3-FT |
SP8M8TB
Rohm Semiconductor
SP8M9FU6TB
Rohm Semiconductor
SP8M9TB
Rohm Semiconductor
SQ4284EY-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQ4917EY-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQ4920EY-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQ4940AEY-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQ4946AEY-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQ4946EY-T1-E3
Vishay Siliconix
SQ4961EY-T1_GE3
Vishay Siliconix
AGL400V5-FGG256I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-1FG256I
Microsemi Corporation
LFE2M100SE-5FN1152C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C55U484I7N
Intel
EPF10K30EFC256-2N
Intel
5SGXMA7K2F40I3N
Intel
XC7VX690T-2FFG1926C
Xilinx Inc.
LFEC20E-3FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95E-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX180FF35I4
Intel