casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SI5499DC-T1-E3
codice articolo del costruttore | SI5499DC-T1-E3 |
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Numero di parte futuro | FT-SI5499DC-T1-E3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SI5499DC-T1-E3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 8V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 6A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 1.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 36 mOhm @ 5.1A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 800mV @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 35nC @ 8V |
Vgs (massimo) | ±5V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1290pF @ 4V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 2.5W (Ta), 6.2W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 1206-8 ChipFET™ |
Pacchetto / caso | 8-SMD, Flat Lead |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI5499DC-T1-E3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SI5499DC-T1-E3-FT |
SI1058X-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI1065X-T1-E3
Vishay Siliconix
SI1065X-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI1067X-T1-E3
Vishay Siliconix
SI1067X-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI1069X-T1-E3
Vishay Siliconix
SI1069X-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI1070X-T1-E3
Vishay Siliconix
SI1071X-T1-E3
Vishay Siliconix
SI1071X-T1-GE3
Vishay Siliconix
XCVU080-2FFVD1517E
Xilinx Inc.
AGL030V2-CSG81
Microsemi Corporation
MPF300T-1FCG484I
Microsemi Corporation
5SGXMA5N2F40C2LN
Intel
5SGXMA7N3F45I3LN
Intel
5SGXEB6R3F43C2L
Intel
XC2VP7-7FF672C
Xilinx Inc.
XC7A12T-1CPG238C
Xilinx Inc.
XC7S25-2CSGA324I
Xilinx Inc.
LFE2M50SE-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation