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Vishay Siliconix SI5499DC-T1-E3

Numero parte MFG
SI5499DC-T1-E3
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83290 pezzi
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fabbricante
Vishay Siliconix
Breve descrizione
TrenchFET® MOSFET P-CH 8V 6A 1206-8
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
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360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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codice articolo del costruttore SI5499DC-T1-E3
Numero di parte futuro FT-SI5499DC-T1-E3
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie TrenchFET®
SI5499DC-T1-E3 Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Obsolete
Tipo FET P-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 8V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 6A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 36 mOhm @ 5.1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 800mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 35nC @ 8V
Vgs (massimo) ±5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1290pF @ 4V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 2.5W (Ta), 6.2W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore 1206-8 ChipFET™
Pacchetto / caso 8-SMD, Flat Lead
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SI5499DC-T1-E3 Peso Contattaci
Numero parte di ricambio SI5499DC-T1-E3-FT

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