casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SI1071X-T1-GE3
codice articolo del costruttore | SI1071X-T1-GE3 |
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Numero di parte futuro | FT-SI1071X-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SI1071X-T1-GE3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | - |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 2.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 167 mOhm @ 960mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.45V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13.3nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±12V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 315pF @ 15V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 236mW (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | SC-89-6 |
Pacchetto / caso | SOT-563, SOT-666 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI1071X-T1-GE3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SI1071X-T1-GE3-FT |
SIE860DF-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIE862DF-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIE874DF-T1-GE3
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SIE876DF-T1-GE3
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SIE878DF-T1-GE3
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SIE882DF-T1-GE3
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SI5459DU-T1-GE3
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SI5418DU-T1-GE3
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SI5410DU-T1-GE3
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SI5411EDU-T1-GE3
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AT40K05AL-1BQC
Microchip Technology
XC3S200AN-4FTG256I
Xilinx Inc.
A54SX32A-1FG144
Microsemi Corporation
EPF6010ATI100-2N
Intel
5SGXEABK3H40I4N
Intel
XC4005-5PC84C
Xilinx Inc.
XA7S25-1CSGA225Q
Xilinx Inc.
A42MX24-1PQG160M
Microsemi Corporation
LFE2-20SE-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F780C6
Intel