casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SI1069X-T1-E3
codice articolo del costruttore | SI1069X-T1-E3 |
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Numero di parte futuro | FT-SI1069X-T1-E3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SI1069X-T1-E3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | - |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 2.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 184 mOhm @ 940mA, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.86nC @ 5V |
Vgs (massimo) | ±12V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 308pF @ 10V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 236mW (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | SC-89-6 |
Pacchetto / caso | SOT-563, SOT-666 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI1069X-T1-E3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SI1069X-T1-E3-FT |
SIE848DF-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIE854DF-T1-E3
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SIE854DF-T1-GE3
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SIE860DF-T1-E3
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SIE878DF-T1-GE3
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SIE882DF-T1-GE3
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XC3S400-4TQG144C
Xilinx Inc.
XC2V1500-4FGG676I
Xilinx Inc.
APA450-BGG456
Microsemi Corporation
AGLN030V2-ZVQG100I
Microsemi Corporation
10M08SAU169A7G
Intel
5SGXEB5R3F43C3N
Intel
A42MX24-1TQG176
Microsemi Corporation
APA150-FGG144A
Microsemi Corporation
EP4SGX230DF29C3NES
Intel
EP20K1000CF33C7N
Intel