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Vishay Siliconix SI1065X-T1-E3

Numero parte MFG
SI1065X-T1-E3
quantità disponibile
67890 pezzi
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fabbricante
Vishay Siliconix
Breve descrizione
TrenchFET® MOSFET P-CH 12V 1.18A SOT563F
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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codice articolo del costruttore SI1065X-T1-E3
Numero di parte futuro FT-SI1065X-T1-E3
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie TrenchFET®
SI1065X-T1-E3 Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Obsolete
Tipo FET P-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 12V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C -
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 156 mOhm @ 1.18A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 950mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10.8nC @ 5V
Vgs (massimo) ±8V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 480pF @ 6V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 236mW (Ta)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore SC-89-6
Pacchetto / caso SOT-563, SOT-666
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SI1065X-T1-E3 Peso Contattaci
Numero parte di ricambio SI1065X-T1-E3-FT

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