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codice articolo del costruttore | SI5485DU-T1-GE3 |
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Numero di parte futuro | FT-SI5485DU-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SI5485DU-T1-GE3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 12A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 2.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25 mOhm @ 5.9A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 42nC @ 8V |
Vgs (massimo) | ±12V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1100pF @ 10V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 3.1W (Ta), 31W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PowerPAK® ChipFet Single |
Pacchetto / caso | PowerPAK® ChipFET™ Single |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI5485DU-T1-GE3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SI5485DU-T1-GE3-FT |
PMF250XNEAX
Nexperia USA Inc.
PMF63UNEAX
Nexperia USA Inc.
PMPB100XPEAX
Nexperia USA Inc.
PMPB215ENEA/FX
Nexperia USA Inc.
PMPB30XPEX
Nexperia USA Inc.
PMPB55XNEAX
Nexperia USA Inc.
PMPB85ENEA/FX
Nexperia USA Inc.
PMPB95ENEA/FX
Nexperia USA Inc.
PMT200EPEX
Nexperia USA Inc.
PMV130ENEA/DG/B2R
Nexperia USA Inc.
LFXP3C-3TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC2V4000-5FF1517I
Xilinx Inc.
A54SX72A-FGG256
Microsemi Corporation
M2GL025TS-VFG256
Microsemi Corporation
EP4CGX30CF23I7
Intel
5SGSED8N3F45I3LN
Intel
5SGXEB5R1F43I2N
Intel
AGL1000V5-FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2M70SE-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX70HF35C2G
Intel