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Nexperia USA Inc. PMPB215ENEA/FX

Name: PMPB215ENEA/FX
Brand: Nexperia USA Inc.
SKU: PMPB215ENEA/FX
Price: 0.129584 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (423 reviews)

Numero parte MFG: PMPB215ENEA/FX

quantità disponibile: 77520 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0.129584

Il nostro prezzo: Abbiamo un grande sconto, non esitate a contattarci

Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: Nexperia USA Inc.

Breve descrizione: Automotive, AEC-Q101 MOSFET N-CH 80V 2.8A 6DFN2020MD

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: PMPB215ENEA/FX.pdf

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PMPB215ENEA/FX specificazioni

codice articolo del costruttore	PMPB215ENEA/FX
Numero di parte futuro	FT-PMPB215ENEA/FX
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	Automotive, AEC-Q101
PMPB215ENEA/FX Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	80V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	2.8A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	230 mOhm @ 1.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.7V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	7.2nC @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	215pF @ 40V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	1.6W (Ta)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	6-DFN2020MD (2x2)
Pacchetto / caso	6-UDFN Exposed Pad
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
PMPB215ENEA/FX Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	PMPB215ENEA/FX-FT

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