casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / PMPB100XPEAX
codice articolo del costruttore | PMPB100XPEAX |
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Numero di parte futuro | FT-PMPB100XPEAX |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
PMPB100XPEAX Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 3.2A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 3V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 122 mOhm @ 3.2A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.25V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | +8V, -10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 388pF @ 10V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 550mW (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 6-DFN2020MD (2x2) |
Pacchetto / caso | 6-UDFN Exposed Pad |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PMPB100XPEAX Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | PMPB100XPEAX-FT |
NP48N055ZHE(1)W-U
Renesas Electronics America
NP48N055ZLE(1)W-U
Renesas Electronics America
NP50P03YDG-E1-AY
Renesas Electronics America
NP55N055SDG-E2-AY
Renesas Electronics America
NP55N055SUG(1)-E1-AY
Renesas Electronics America
NP60N03SUG(1)-E1-AY
Renesas Electronics America
NP60N04MUK-S18-AY
Renesas Electronics America
NP60N04NUK-S18-AY
Renesas Electronics America
NP60N055NUK-S18-AY
Renesas Electronics America
NP70N10KUF-E2-AY
Renesas Electronics America
AT40K05AL-1BQC
Microchip Technology
XC3S200AN-4FTG256I
Xilinx Inc.
A54SX32A-1FG144
Microsemi Corporation
EPF6010ATI100-2N
Intel
5SGXEABK3H40I4N
Intel
XC4005-5PC84C
Xilinx Inc.
XA7S25-1CSGA225Q
Xilinx Inc.
A42MX24-1PQG160M
Microsemi Corporation
LFE2-20SE-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F780C6
Intel