casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / PMPB85ENEA/FX
codice articolo del costruttore | PMPB85ENEA/FX |
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Numero di parte futuro | FT-PMPB85ENEA/FX |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
PMPB85ENEA/FX Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 4.4A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 95 mOhm @ 3A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.7V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9.2nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 305pF @ 30V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1.6W (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 6-DFN2020MD (2x2) |
Pacchetto / caso | 6-UDFN Exposed Pad |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PMPB85ENEA/FX Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | PMPB85ENEA/FX-FT |
NP55N055SUG(1)-E1-AY
Renesas Electronics America
NP60N03SUG(1)-E1-AY
Renesas Electronics America
NP60N04MUK-S18-AY
Renesas Electronics America
NP60N04NUK-S18-AY
Renesas Electronics America
NP60N055NUK-S18-AY
Renesas Electronics America
NP70N10KUF-E2-AY
Renesas Electronics America
NP75P04YLG-E1-AY
Renesas Electronics America
NP80N04KHE-E1-AZ
Renesas Electronics America
NP80N055KLE-E2-AY
Renesas Electronics America
NP80N055NDG-S18-AY
Renesas Electronics America
A54SX32-1TQ144M
Microsemi Corporation
LFXP3E-3T100I
Lattice Semiconductor Corporation
A3P400-2FGG256I
Microsemi Corporation
LCMXO2-256HC-4SG32I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5UM-85F-7BG554C
Lattice Semiconductor Corporation
A3P125-1VQG100
Microsemi Corporation
EP2C15AF484C8N
Intel
5SGXEB6R3F40I3L
Intel
XC4036XL-3HQ208C
Xilinx Inc.
XC6SLX45-L1CSG324C
Xilinx Inc.