casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SI4488DY-T1-GE3
codice articolo del costruttore | SI4488DY-T1-GE3 |
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Numero di parte futuro | FT-SI4488DY-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SI4488DY-T1-GE3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 150V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 3.5A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 50 mOhm @ 5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA (Min) |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 36nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1.56W (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SO |
Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI4488DY-T1-GE3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SI4488DY-T1-GE3-FT |
IRF7700TR
Infineon Technologies
IRF7700TRPBF
Infineon Technologies
IRF7701
Infineon Technologies
IRF7701GTRPBF
Infineon Technologies
IRF7701TR
Infineon Technologies
IRF7701TRPBF
Infineon Technologies
IRF7702
Infineon Technologies
IRF7702GTRPBF
Infineon Technologies
IRF7702TR
Infineon Technologies
IRF7702TRPBF
Infineon Technologies
XA6SLX45-3FGG484Q
Xilinx Inc.
A42MX36-2BGG272I
Microsemi Corporation
M2GL090-FGG484
Microsemi Corporation
MPF300T-1FCG1152E
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-4FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL200F1517C2N
Intel
5SGXMA3K2F35I3N
Intel
XC5VSX50T-1FFG665C
Xilinx Inc.
LFE3-95E-7FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
MPM7128SQC100AC
Intel