casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IRF7700TR
codice articolo del costruttore | IRF7700TR |
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Numero di parte futuro | FT-IRF7700TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFET® |
IRF7700TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 8.6A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 2.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 15 mOhm @ 8.6A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 89nC @ 5V |
Vgs (massimo) | ±12V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 4300pF @ 15V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1.5W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-TSSOP |
Pacchetto / caso | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRF7700TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IRF7700TR-FT |
SUM80090E-GE3
Vishay Siliconix
SUM90330E-GE3
Vishay Siliconix
TK14G65W5,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
TK16G60W,RVQ
Toshiba Semiconductor and Storage
TK20G60W,RVQ
Toshiba Semiconductor and Storage
DMS2120LFWB-7
Diodes Incorporated
DMS2220LFW-7
Diodes Incorporated
PHM12NQ20T,518
NXP USA Inc.
PHM15NQ20T,518
NXP USA Inc.
PHM18NQ15T,518
NXP USA Inc.
XC3S400-5FTG256C
Xilinx Inc.
XC7A25T-1CSG325C
Xilinx Inc.
A3P1000L-1FG256
Microsemi Corporation
LCMXO3L-4300E-5UWG81CTR50
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA3K1F35I2N
Intel
XC4020E-3HQ208I
Xilinx Inc.
XC7VX415T-2FFG1158I
Xilinx Inc.
XC7VX550T-1FFG1158C
Xilinx Inc.
XCKU5P-1SFVB784I
Xilinx Inc.
LFXP10C-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation