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Infineon Technologies IRF7701GTRPBF

Name: IRF7701GTRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF7701GTRPBF
Availability: InStock
Rating: 4.7 (235 reviews)

Numero parte MFG: IRF7701GTRPBF

quantità disponibile: 29240 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0

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Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: Infineon Technologies

Breve descrizione: HEXFET® MOSFET P-CH 12V 10A 8-TSSOP

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: IRF7701GTRPBF.pdf

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IRF7701GTRPBF specificazioni

codice articolo del costruttore	IRF7701GTRPBF
Numero di parte futuro	FT-IRF7701GTRPBF
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	HEXFET®
IRF7701GTRPBF Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Obsolete
Tipo FET	P-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	12V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	10A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	11 mOhm @ 10A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	100nC @ 4.5V
Vgs (massimo)	±8V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	5050pF @ 10V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	1.5W (Ta)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	8-TSSOP
Pacchetto / caso	8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRF7701GTRPBF Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	IRF7701GTRPBF-FT

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