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Infineon Technologies IRF7701GTRPBF

Numero parte MFG
IRF7701GTRPBF
quantità disponibile
29240 pezzi
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fabbricante
Infineon Technologies
Breve descrizione
HEXFET® MOSFET P-CH 12V 10A 8-TSSOP
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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IRF7701GTRPBF specificazioni

codice articolo del costruttore IRF7701GTRPBF
Numero di parte futuro FT-IRF7701GTRPBF
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie HEXFET®
IRF7701GTRPBF Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Obsolete
Tipo FET P-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 12V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 10A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11 mOhm @ 10A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 100nC @ 4.5V
Vgs (massimo) ±8V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 5050pF @ 10V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 1.5W (Ta)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore 8-TSSOP
Pacchetto / caso 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRF7701GTRPBF Peso Contattaci
Numero parte di ricambio IRF7701GTRPBF-FT

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