casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / SI3983DV-T1-E3
codice articolo del costruttore | SI3983DV-T1-E3 |
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Numero di parte futuro | FT-SI3983DV-T1-E3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SI3983DV-T1-E3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | 2 P-Channel (Dual) |
Caratteristica FET | Logic Level Gate |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 2.1A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 110 mOhm @ 2.5A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.1V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.5nC @ 4.5V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Potenza - Max | 830mW |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Pacchetto dispositivo fornitore | 6-TSOP |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI3983DV-T1-E3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SI3983DV-T1-E3-FT |
SI5980DU-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI5997DU-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI5999EDU-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIF902EDZ-T1-E3
Vishay Siliconix
SIS932EDN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI1029X-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI1026X-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI1024X-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI1016X-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI1016CX-T1-GE3
Vishay Siliconix
A1020B-2VQ80C
Microsemi Corporation
LCMXO2280C-3T144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX150T-2FG900C
Xilinx Inc.
LFE2-70E-7F900C
Lattice Semiconductor Corporation
A3P060-1VQ100T
Microsemi Corporation
10M16DCF256C7G
Intel
5SGXMA7K1F40C2N
Intel
5SGSED6K2F40I2LN
Intel
EP4CE10E22A7N
Intel
LFE2-35SE-7F484C
Lattice Semiconductor Corporation