casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / SI3585DV-T1-E3
codice articolo del costruttore | SI3585DV-T1-E3 |
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Numero di parte futuro | FT-SI3585DV-T1-E3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SI3585DV-T1-E3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N and P-Channel |
Caratteristica FET | Logic Level Gate |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 2A, 1.5A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 125 mOhm @ 2.4A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 600mV @ 250µA (Min) |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3.2nC @ 4.5V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Potenza - Max | 830mW |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Pacchetto dispositivo fornitore | 6-TSOP |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI3585DV-T1-E3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SI3585DV-T1-E3-FT |
SI7983DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7994DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIR770DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIRB40DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI5936DU-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI5517DU-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI5922DU-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI5517DU-T1-E3
Vishay Siliconix
SI5519DU-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI5906DU-T1-GE3
Vishay Siliconix
LFXP2-8E-6TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1400AN-4FGG676I
Xilinx Inc.
XC2S30-6VQ100C
Xilinx Inc.
LFE2-12E-6Q208I
Lattice Semiconductor Corporation
AX125-FG256
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-4FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2S60F672C3
Intel
XC2VP40-6FFG1152C
Xilinx Inc.
LFEC33E-4F672I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000ZE-1FG484C
Lattice Semiconductor Corporation