casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / SIRB40DP-T1-GE3
codice articolo del costruttore | SIRB40DP-T1-GE3 |
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Numero di parte futuro | FT-SIRB40DP-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SIRB40DP-T1-GE3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Caratteristica FET | Standard |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 40A (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.25 mOhm @ 10A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 45nC @ 4.5V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 4290pF @ 20V |
Potenza - Max | 46.2W |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | PowerPAK® SO-8 Dual |
Pacchetto dispositivo fornitore | PowerPAK® SO-8 Dual |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIRB40DP-T1-GE3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SIRB40DP-T1-GE3-FT |
ALD1103PBL
Advanced Linear Devices Inc.
ALD1106SBL
Advanced Linear Devices Inc.
ALD1105SBL
Advanced Linear Devices Inc.
ALD1103SBL
Advanced Linear Devices Inc.
ALD1107SBL
Advanced Linear Devices Inc.
FDQ7236AS
ON Semiconductor
FDQ7238AS
ON Semiconductor
IRF7335D1TR
Infineon Technologies
SI4310BDY-T1-E3
Vishay Siliconix
SI4340CDY-T1-E3
Vishay Siliconix
A54SX08A-FTQ144
Microsemi Corporation
M2GL010TS-VFG256I
Microsemi Corporation
10M08DCF256A7G
Intel
EP3C16F256C6
Intel
10AX032H2F35E2LG
Intel
A3PE1500-FGG676I
Microsemi Corporation
LCMXO640E-5B256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115U3F45I2SG
Intel
EPF10K200SBC356-1
Intel
10M02DCV36C7G
Intel