casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / SI5922DU-T1-GE3
codice articolo del costruttore | SI5922DU-T1-GE3 |
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Numero di parte futuro | FT-SI5922DU-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SI5922DU-T1-GE3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Caratteristica FET | Standard |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 6A (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 19.2 mOhm @ 5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.1nC @ 4.5V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 765pF @ 15V |
Potenza - Max | 10.4W |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | PowerPAK® ChipFET™ Dual |
Pacchetto dispositivo fornitore | PowerPAK® ChipFet Dual |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI5922DU-T1-GE3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SI5922DU-T1-GE3-FT |
ALD1103SBL
Advanced Linear Devices Inc.
ALD1107SBL
Advanced Linear Devices Inc.
FDQ7236AS
ON Semiconductor
FDQ7238AS
ON Semiconductor
IRF7335D1TR
Infineon Technologies
SI4310BDY-T1-E3
Vishay Siliconix
SI4340CDY-T1-E3
Vishay Siliconix
SI4340DY-T1-E3
Vishay Siliconix
SIA519EDJ-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIA533EDJ-T1-GE3
Vishay Siliconix