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codice articolo del costruttore | SIR770DP-T1-GE3 |
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Numero di parte futuro | FT-SIR770DP-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SIR770DP-T1-GE3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Caratteristica FET | Logic Level Gate |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 8A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 21 mOhm @ 8A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.8V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 21nC @ 10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 900pF @ 15V |
Potenza - Max | 17.8W |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | PowerPAK® SO-8 Dual |
Pacchetto dispositivo fornitore | PowerPAK® SO-8 Dual |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIR770DP-T1-GE3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SIR770DP-T1-GE3-FT |
ALD1107PBL
Advanced Linear Devices Inc.
ALD1103PBL
Advanced Linear Devices Inc.
ALD1106SBL
Advanced Linear Devices Inc.
ALD1105SBL
Advanced Linear Devices Inc.
ALD1103SBL
Advanced Linear Devices Inc.
ALD1107SBL
Advanced Linear Devices Inc.
FDQ7236AS
ON Semiconductor
FDQ7238AS
ON Semiconductor
IRF7335D1TR
Infineon Technologies
SI4310BDY-T1-E3
Vishay Siliconix
A40MX04-VQG80
Microsemi Corporation
LFXP3C-4T144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S700A-4FT256C
Xilinx Inc.
XCV150-6FG456C
Xilinx Inc.
EP3C5U256C6
Intel
5SGXEA9N3F45C2N
Intel
XC4028XL-1BG256I
Xilinx Inc.
M2GL090-1FGG676
Microsemi Corporation
EPF10K100ARC240-3
Intel
EP1K50QI208-2N
Intel