casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SI2303-TP
codice articolo del costruttore | SI2303-TP |
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Numero di parte futuro | FT-SI2303-TP |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
SI2303-TP Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 3A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 180 mOhm @ 2A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 226pF @ 100V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 250mW (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23 |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI2303-TP Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SI2303-TP-FT |
TP0610K-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI2372DS-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI2308BDS-T1-GE3
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SI2325DS-T1-E3
Vishay Siliconix
BSS139H6327XTSA1
Infineon Technologies
SI2312CDS-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI2333CDS-T1-E3
Vishay Siliconix
SQ2310ES-T1_GE3
Vishay Siliconix
BSS123NH6327XTSA1
Infineon Technologies
FDV305N
ON Semiconductor
A3P015-1QNG68
Microsemi Corporation
5SGXMA7N1F40C2N
Intel
5SGXEA7N1F45I2N
Intel
5SGXMB5R1F43C1N
Intel
EP4CGX15BF14I7N
Intel
XC6VLX195T-1FFG784I
Xilinx Inc.
XC2VP7-6FF672I
Xilinx Inc.
LFE3-150EA-6FN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-4FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX70HF35I3N
Intel