casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SI1032X-T1-E3
codice articolo del costruttore | SI1032X-T1-E3 |
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Numero di parte futuro | FT-SI1032X-T1-E3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SI1032X-T1-E3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 200mA (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 1.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5 Ohm @ 200mA, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.75nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | ±6V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 300mW (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | SC-89-3 |
Pacchetto / caso | SC-89, SOT-490 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI1032X-T1-E3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SI1032X-T1-E3-FT |
SI5418DU-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI5410DU-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI5411EDU-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI5415EDU-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI5442DU-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI5448DU-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIB441EDK-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIB452DK-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIB417AEDK-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIB417EDK-T1-GE3
Vishay Siliconix
EP20K100ETC144-1N
Intel
LFXP3C-3T100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2S100-5PQ208I
Xilinx Inc.
A3PE600-PQG208
Microsemi Corporation
10AX027E4F29I3SG
Intel
5SEE9H40C2LN
Intel
A40MX04-PL84I
Microsemi Corporation
ICE40UL1K-CM36AITR
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP15C-3FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95EA-6LFN672C
Lattice Semiconductor Corporation