casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SI5442DU-T1-GE3
codice articolo del costruttore | SI5442DU-T1-GE3 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-SI5442DU-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SI5442DU-T1-GE3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 25A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 1.8V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10 mOhm @ 8A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 900mV @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 45nC @ 8V |
Vgs (massimo) | ±8V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1700pF @ 10V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 3.1W (Ta), 31W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PowerPAK® ChipFet Single |
Pacchetto / caso | PowerPAK® ChipFET™ Single |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI5442DU-T1-GE3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SI5442DU-T1-GE3-FT |
SIA432DJ-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIA436DJ-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIAA40DJ-T1-GE3
Vishay Siliconix
SQA403EJ-T1_GE3
Vishay Siliconix
SIA106DJ-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIA110DJ-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIA469DJ-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIAA00DJ-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIA438EDJ-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIA406DJ-T1-GE3
Vishay Siliconix
A54SX32-TQG144I
Microsemi Corporation
XC4013XL-09PQ208C
Xilinx Inc.
M7A3P1000-1FGG256I
Microsemi Corporation
LFE5UM5G-45F-8BG554I
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN030-Z1VQ100I
Microsemi Corporation
EP3SE260H780I4LN
Intel
AGLP060V5-CS289
Microsemi Corporation
A54SX32A-2TQG100I
Microsemi Corporation
10AX090N4F40E3SG
Intel
10AX115N3F40I3SGES
Intel