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codice articolo del costruttore | SIB441EDK-T1-GE3 |
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Numero di parte futuro | FT-SIB441EDK-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SIB441EDK-T1-GE3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 12V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 9A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 1.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25.5 mOhm @ 4A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 900mV @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 33nC @ 8V |
Vgs (massimo) | ±8V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1180pF @ 6V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 2.4W (Ta), 13W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PowerPAK® SC-75-6L Single |
Pacchetto / caso | PowerPAK® SC-75-6L |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIB441EDK-T1-GE3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SIB441EDK-T1-GE3-FT |
SIAA40DJ-T1-GE3
Vishay Siliconix
SQA403EJ-T1_GE3
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SIA106DJ-T1-GE3
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SIA408DJ-T1-GE3
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SIA411DJ-T1-E3
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XC3S50A-4TQ144I
Xilinx Inc.
M1A3P400-FGG256
Microsemi Corporation
M1A3P250-2PQG208
Microsemi Corporation
EP3C40F484C7N
Intel
10M40SAE144I7G
Intel
5SGXEBBR1H43C2LN
Intel
LCMXO2-7000HE-4FG484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC9C6F23I7N
Intel
EP20K200CB356C9
Intel
EPF8820AQC208-4AA
Intel