casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SI5448DU-T1-GE3
codice articolo del costruttore | SI5448DU-T1-GE3 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-SI5448DU-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SI5448DU-T1-GE3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 25A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.75 mOhm @ 15A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | +20V, -16V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1765pF @ 20V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 31W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PowerPAK® ChipFet Single |
Pacchetto / caso | PowerPAK® ChipFET™ Single |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI5448DU-T1-GE3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SI5448DU-T1-GE3-FT |
SIA436DJ-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIAA40DJ-T1-GE3
Vishay Siliconix
SQA403EJ-T1_GE3
Vishay Siliconix
SIA106DJ-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIA110DJ-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIA469DJ-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIAA00DJ-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIA438EDJ-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIA406DJ-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIA408DJ-T1-GE3
Vishay Siliconix
XC7A15T-2FTG256C
Xilinx Inc.
XCKU035-L1FFVA1156I
Xilinx Inc.
A3PN030-Z1QNG48
Microsemi Corporation
M2GL025T-VFG400
Microsemi Corporation
EP3C5E144C7
Intel
XC7A200T-1FF1156I
Xilinx Inc.
A3P1000-1FGG144I
Microsemi Corporation
AGL600V2-FG144I
Microsemi Corporation
EP2AGX125EF29C6N
Intel
EP20K100EBI356-2X
Intel