casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / SH8M14TB1
codice articolo del costruttore | SH8M14TB1 |
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Numero di parte futuro | FT-SH8M14TB1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
SH8M14TB1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Not For New Designs |
Tipo FET | N and P-Channel |
Caratteristica FET | Logic Level Gate |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 9A, 7A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 21 mOhm @ 9A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.5nC @ 5V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 630pF @ 10V |
Potenza - Max | 2W |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SOP |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SH8M14TB1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SH8M14TB1-FT |
NTQD6866R2G
ON Semiconductor
NTQD6968N
ON Semiconductor
NTQD6968NR2
ON Semiconductor
NTQD6968NR2G
ON Semiconductor
NTQD6968R2
ON Semiconductor
PMWD15UN,518
NXP USA Inc.
PMWD16UN,518
NXP USA Inc.
PMWD19UN,518
NXP USA Inc.
PMWD20XN,118
NXP USA Inc.
PMWD26UN,518
NXP USA Inc.
XCV400-4FG676I
Xilinx Inc.
XC7S75-2FGGA484C
Xilinx Inc.
AGLN250V5-VQ100
Microsemi Corporation
10M40DCF484C8G
Intel
EP3C25U256A7N
Intel
LFE3-150EA-9FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M35SE-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N1F40I2SGES
Intel
EP3SL150F780C4N
Intel
EP20K1000CF33C8N
Intel