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NXP USA Inc. PMWD19UN,518

Numero parte MFG
PMWD19UN,518
quantità disponibile
54610 pezzi
Prezzo di riferimento
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fabbricante
NXP USA Inc.
Breve descrizione
TrenchMOS™ MOSFET 2N-CH 30V 5.6A 8TSSOP
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFET - Array
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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codice articolo del costruttore PMWD19UN,518
Numero di parte futuro FT-PMWD19UN,518
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie TrenchMOS™
PMWD19UN,518 Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Obsolete
Tipo FET 2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 5.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 23 mOhm @ 3.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 700mV @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 28nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1478pF @ 10V
Potenza - Max 2.3W
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore 8-TSSOP
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
PMWD19UN,518 Peso Contattaci
Numero parte di ricambio PMWD19UN,518-FT

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